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昂宝电子 2021-06-17 11:18:25
关键词：高频QR，直驱GaN FET，谷底锁定，多工作模式切换
随着智能手机电池容量的日益增大, 充电器的设计功率正在快速发生变化，早期的18W/20W快充已经变成低端机的标配，而主流旗舰机型的标配充电器功率已经达到66W甚至超过100W，提高充电器的功率密度及维持其便携性变成设计挑战之一，昂宝电子为满足这一市场需求，于近期推出了高频QR驱动器方案OB2730/36系列，采用低成本SOP8封装，内置高压启动，外围精简，支持最高300KHz的开关频率，可帮助工程师大幅度的减小充电器体积，并最大程度平衡BOM成本。
其中OB2736 GATE电平钳位在5.5V，用于直驱氮化镓GaN功率管，而OB2730则用于驱动传统的Cool MOS功率管，两个版本给用户提供更大的设计弹性去满足不同产品的市场定位。其IC内核集成了昂宝核心的锁谷底专利技术，频谱扩展专利技术，多模式自动切换专利技术，能帮助工程师朋友最大程度的优化效率，抑制异音及电磁干扰，同时提供完善的自恢复保护功能，包括OCP/OVP/SCP/OLP/OTP及AC端的UVP，全面保障系统的可靠性，采用OB2730/36设计的65W标准演示版已经发布，具体请联系昂宝当地销售人员及授权代理商获取详细信息。
