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描述
OB5511是一集成高压工艺与与数模混合技术的主控芯片。OB5511具备快速的单周期8051内核，8KB闪存，512B SRAM，能执行所有ASM51兼容指令,与MCS-51相同的指令设置。片内集成有DC Regulator，ADC，MOSFET，过零检测线路等模拟模块，可直接驱动5个继电器或可控硅，芯片能操作在系统电源12V以下。
特征
l 指令设置兼容 MCS-51
l 8K字节的片上闪存程序存储器
l 512 字节的标准的8052 RAM
l 双16-bit 数据指针 (DPTR0&DPTR1)
l 3个16-bit 的定时器/计数器（计时器0,1,2, 3）
l 最多7个 GPIO
l 外部中断源: INTx 1
l I2C x 1
l UART x 1
l 可编程的看门狗定时器（WDT）
l 2路12位模拟数字转换（ADC）
l 片上闪存存储器支持ICP及EEPROM 功能
l 低电压中断LVI/低电压复位LVR
l 电源管理单元空闲及掉电模式
l 支持在线仿真(OCD)功能
l 高速1T架构，最高可达16MHz
n 高压模拟单元集成5V LDO
n 输入电压: 6V~12V
n 输出电压: 5V ±2%@25°C. ±4%@ -40°C~85°C
n 最大输出电流: 200mA
n 集成5个 开漏端口, 80mA灌电流能力
n 集成一个运放(OPA)
n 集成1路过零检测 (ZD)
l 封装型态: 16-SOP
