OB5518

描述

OB5518是一集成高压工艺与数模混合技术的主控芯片，具备快速的单周期8051内核，8KB MTP，256B SRAM，MCS-51指令设置。片内集成有DC Regulator，ADC，MOSFET等模拟模块，可直接驱动10个继电器或可控硅，芯片能操作在系统电源12V以下。

特征

l 指令设置兼容 MCS-51

l 8KB字节的片上可编程存储器中程序存储器

l 256字节的标准的8052 RAM

l 双16-bit 数据指针 (DPTR0&DPTR1)

l 4个16-bit 的定时器/计数器（计时器0,1,2, 3）

l 最多6个 GPIO

l 外部中断源: INTx 1

l I2C x 1

l UART x 1

l 可编程的看门狗定时器（WDT）

l 3路12位模拟数字转换（ADC）

l 片上闪存存储器支持ICP及EEPROM 功能

l 低电压中断LVI/低电压复位LVR

l 电源管理单元空闲及掉电模式

l 支持在线仿真(OCD)功能

l 高速1T架构，最高可达8MHz

l 高压模拟单元

n 输入电压: 7.5V~12V

n 集成5VLDO，输出电压: 5V ±2%@25°C. ±4%@ -40°C~85°C; 最大输出电流: 200mA

n 集成10个开漏端口, 80mA灌电流能力,内建续流二极管

l 封装型态: 20-SOP

系统应用图